두께도 줄여 초슬림폰에 적합
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UFS 4.1은 SK하이닉스의 세계 최고층인 321단 1테라비트(Tb) 트리플 레벨 셀(TLC) 4D 낸드를 적용한 차세대 초고속 플래시 메모리다.
SK하이닉스는 512기가바이트(GB), 1테라바이트(TB) 두 가지 용량 버전으로 개발한 이번 제품을 연내 고객사에 제공해 인증을 진행하고, 내년 1분기부터 본격 양산에 돌입할 계획이다.
UFS 4.1은 모바일 기기에서 온디바이스(기기 내장형) AI를 안정적으로 구현하는 것을 목적으로 개발됐다.
최근 스마트폰, 태블릿 PC 등 모바일 기기 내에 AI를 구동하기 위해선 적은 전력으로도 고도의 연산 성능을 지원하는 메모리 솔루션이 핵심이다.
UFS 4.1은 전력 효율은 이전 세대인 238단 낸드 기반 제품 대비 7% 개선됐다.
모바일 기기의 멀티태스킹 능력을 좌우하는 랜덤 읽기와 쓰기 속도는 이전 세대 대비 각각 15%, 40% 향상돼 현존 UFS 4.1 제품에서 세계 최고 성능을 달성했다.
순차 읽기는 국제 반도체 표준화 기구 ‘제덱’(JEDEC)에서 규정한 UFS 4세대 제품의 최대 성능인 초당 4300메가바이트(MB)의 데이터 전송 속도를 지원한다.
읽기·쓰기에서 순차와 랜덤은 데이터를 저장된 순서대로 처리하는지 여부에 따라 나뉜다.
SK하이닉스는 제품 두께를 기존 1㎜에서 0.85㎜ 줄이는 데에도 성공했다.
최근 초슬림 스마트폰을 필두로 모바일 기기 시장 전반에 ‘슬림 다이어트’ 바람이 부는 것에 주목한 것이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “이번 제품 출시를 필두로 세계 최고층 321단 4D 낸드 기반 소비자용, 데이터센터용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 제품도 연내 개발을 완료할 계획”이라며 “이를 통해 낸드 부문에서도 AI 기술 경쟁력을 갖춘 제품 포트폴리오를 구축해 ‘풀스택 AI 메모리 프로바이더’로서의 입지를 굳건히 하겠다”고 말했다.
이동수 기자
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