
ÀΰøÁö´É(AI) ½Ã´ë¸¦ À̲ø Â÷¼¼´ë ¹ÝµµÃ¼ °í´ë¿ªÆø¸Þ¸ð¸®(HBM)ÀÇ ÇöÀç¿Í ¹Ì·¡¸¦ Á¶¸ÁÇÏ´Â ÀÚ¸®°¡ ¸¶·ÃµÈ´Ù.
Çѱ¹°úÇбâ¼ú¿ø(KAIST) Àü±â¹×ÀüÀÚ°øÇкΠ±èÁ¤È£ ±³¼ö ¿¬±¸½Ç(ÀÌÇÏ KAIST TERA Lab)Àº ¿À´Â 11ÀÏ 'Â÷¼¼´ë HBM Roadmap(2025~2040) ±â¼ú ¹ßǥȸ'¸¦ ¿¬´Ù°í 28ÀÏ ¹àÇû´Ù.
KAIST TERA Lab °ü°èÀÚ´Â "±Þº¯ÇÏ´Â ±â¼ú ÆÐ±Ç °æÀï ¼Ó¿¡¼ ±¹³» ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÌ °¡¾ß ÇÒ ¹æÇâÀ» Á¦½ÃÇϰí AI ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ÇÙ½É ÃàÀ¸·Î ¶°¿À¸¥ Â÷¼¼´ë HBM ±â¼ú °³¹ßÀ» À§ÇÑ ±¸Ã¼ÀûÀÎ ·Îµå¸ÊÀ» °øÀ¯Çϱâ À§ÇØ ¸¶·ÃÇß´Ù"°í ¼³¸íÇß´Ù.
±èÁ¤È£ ±³¼ö´Â 'HBMÀÇ ¾Æ¹öÁö'·Î ºÒ¸°´Ù.
±×°¡ À̲ô´Â KAIST TERA LabÀº Áö³ 20³â ÀÌ»ó HBM °ü·Ã ¼³°è ±â¼úÀ» ¼¼°èÀûÀ¸·Î ÁÖµµÇϰí ÀÖÀ¸¸ç, 2010³âºÎÅÍ´Â ½ÇÁ¦ HBM »ó¿ëÈ ¼³°è¿¡µµ Á÷Á¢ Âü¿©Çϰí ÀÖ´Ù.
KAIST TERA LabÀº ƯÈ÷ HBM ½Ç¸®ÄܰüÅëÀü±Ø(TSV), ÀÎÅÍÆ÷Àú, ½ÅÈ£ ¹«°á¼º ¼³°è(SI), Àü·Â ¹«°á¼º ¼³°è(PI) µîÀ» ¿¬±¸ÇÏ¸ç ¼¼°èÀûÀ¸·Î ¿¬±¸ÀÇ µ¶Ã¢¼ºÀ» ÀÎÁ¤¹Þ°í ÀÖ´Â µ¶º¸ÀûÀÎ ¿¬±¸½Ç·Î ²ÅÈ÷°í ÀÖ´Ù.
HBM ¼³°è¸¦ ÀΰøÁö´ÉÀ¸·Î ÀÚµ¿ÈÇÏ´Â ¿¬±¸µµ ÇÔ²² ÁøÇà ÁßÀ̸ç, °ÈÇнÀ°ú »ý¼º ÀΰøÁö´ÉÀ» °áÇÕÇØ HBMÀÇ Àü±âÀû, ¿Àû ÃÖÀûÈ ¿¬±¸¸¦ ¼±µµÇϰí ÀÖ´Ù.
À̹ø ±â¼ú ¹ßǥȸ¿¡¼´Â ¼¼´ëº° HBMÀÇ ±¸Á¶¿Í ¼º´É, Ư¼º ¿Ü¿¡µµ AI ¹ÝµµÃ¼ ¿¬»ê ¼ÓµµÀÇ È¹±âÀûÀÎ Çâ»ó°ú °³¼±À» À§ÇØ ÇʼöÀûÀÎ µ¥ÀÌÅÍ ´ë¿ªÆøÀÇ È®ÀåÀ» À§ÇÑ TSV(Through-Silicon Via)¿Í ÀÎÅÍÆ÷Àú, µö ¿¡Äª((Deep Etching) ±â¼ú µî°ú Àü±âÀû ½Å·Ú¼º È®º¸¸¦ À§ÇÑ ÇÏÀ̺긮µå º»µù ±â¼ú, ¹ß¿ ¹®Á¦ ÇØ°áÀ» À§ÇÑ ³Ã°¢¿ë TSV ±â¼ú µî ´Ù¾çÇÑ ÇÙ½É ¿ä¼Ò ±â¼úÀÇ ¹ßÀü ¹æÇâ°ú ³Á¦ ±Øº¹À» À§ÇÑ ¿¬±¸ ³»¿ëµµ ÇÔ²² ¼Ò°³µÈ´Ù.
±è ±³¼ö´Â "AI ¹ÝµµÃ¼ÀÇ ÇÙ½É ÃàÀ¸·Î ÀÚ¸® ÀâÀº HBM °ü·Ã ±â¼úÀÇ ¹Ì·¡¿¡ ´ëÇÑ »êÇп¬ÀÇ ÀÌÇØ¸¦ ³ôÀÌ°í ±¹³» ¹ÝµµÃ¼»ê¾÷ÀÇ Áö¼Ó °¡´ÉÇÑ ¼ºÀå¿¡ ±â¿©ÇϰíÀÚ ±×°£ ¿¬±¸ÇÑ HBM °ü·Ã ±â¼úÀû ¾ÆÀ̵ð¾î¿Í ¹æÇâÀ» ¼Ò°³ÇÏ·Á ÇÑ´Ù"¸ç "ÇâÈÄ »ï¼ºÀüÀÚ, SKÇÏÀ̴нº µî ±¹³» ÁÖ¿ä ¹ÝµµÃ¼ ¾÷ü¿Í °ü·Ã Á¤º¸¸¦ °øÀ¯ÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù"¶ó°í ¸»Çß´Ù.
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